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Plasma-Therm蚀刻系统Versaline

Plasma-Therm蚀刻系统Versaline

在 Plasma-Therm®，我们希望为您提供最好的服务。我们的团队明白，您的具体需求可能与其他人的需求不同，即使在您自己的晶圆厂内也是如此。这就是为什么我们随时准备帮助您调整工具和流程，以确保它满足您的要求。无论这些单独的平台或集群系统驻留在研发环境还是大批量生产生产线中，我们都会格外小心以确保您拥有所需的。有些人称这种服务为。我们称之为团队合作。

VERSALINE 系统模型配置为执行一系列蚀刻和沉积工艺。离子束技术适用于一系列应用，从低、可控的损伤蚀刻到高速率、高纵横比、深硅蚀刻到难处理的材料。该系统通过 EndpoinTWorks® 支持工艺控制。增强功能包括数据记录、自动维护调度程序 （AMS） 和 SECS/GEM。我们的 Cortex® 控制系统提供稳定、用户友好的控制界面，旨在提高效率和生产力。

我们的 VERSALINE 平台是特种半导体市场中各种应用的主力军

VERSALINE 系统模型配置为执行一系列蚀刻和沉积工艺。离子束技术适用于一系列应用，从低、可控的损伤蚀刻到高速率、高纵横比、深硅蚀刻到难处理的材料。该系统通过 EndpointWorks® 支持工艺控制。增强功能包括数据记录、自动维护调度程序 （AMS） 和 SECS/GEM。我们的 Cortex® 控制系统提供稳定、用户友好的控制界面，旨在提高效率和生产力。

Plasma-Therm蚀刻系统Versaline

VERSALINE 平台的模块化设计允许灵活配置衬底处理，以实现各种处理选项，从研发单晶圆或带有负载锁的载体装载到大批量、多腔室生产集群。利用成本和工艺开发的清晰升级路径使未来规划变得容易。

我们的 VERSALINE ICP 蚀刻平台是 Plasma-Therm® 数十年技术发展的结晶。

过程

  • 为应用优化工艺提供高度灵活性（例如，从慢速、可控到高速吞吐量最大化;从倾斜到垂直的剖面控制）
  • 适用于无线、光子学、功率器件、化合物半导体、存储器、量子和先进封装应用的大型工艺库（可根据要求提供材料规格）
    • II-VI 和 III-V （GAAs， InP， GaN， AlN， CdTe， InSb）
    • 硅基（Si、poly-Si、SiC）
    • 电介质（SiO2、SiNx、SiON、石英、熔融石英）
    • 聚合物（PR、PI、BCB）
    • 金属（Al、Cr、V、W、Mo、Ti、Ta、Nb、Cu、Au、Pt）
    • 金属氧化物和氮化物（TiN、TaN、TiOx、TaOx、HfOx）
    • 压电体（LiNbO3、LiTaO3）
  • 腐蚀性化学成分（HBr、Cl2、BCl3）由“铠装”耐腐蚀组件支撑

我们的 VERSALINE 系统深硅蚀刻 （DSE） 技术利用屡获殊荣的快速工艺控制，提供具有轮廓控制和侧壁平滑度的硅深度反应离子蚀刻 （DRIE）。出色的工艺灵活性和自由度，具有业内最高的掩膜选择性。

MicroNano 奖“最具创新性技术”获得者。

过程

  • 高纵横比
  • 光滑的侧壁
  • 高均匀性
  • 高选择性
  • 无缺口 SOI
  • 配置文件控制
  • 优化的刻蚀速率
  • 纵横比依赖性蚀刻 （ARDE） 缩减

我们的 VERSALINE RIE 系统安装在从研发到大批量生产的各种设施中。VERSALINE RIE 为多种应用提供低维护和高通用性。无需硬件重新配置即可方便地适应多种基板尺寸。可升级到 ICP 和集群配置。

过程

  • 广泛的工艺库
  • 广泛的工艺范围

我们在 VERSALINE 系统上的 IBE 技术结合了高性能大面积离子源和先进的运动控制，可实现行业领先的工艺结果、一流的均匀性和通量以及最低的拥有成本。Marathon 网格™技术是其经过验证的性能的关键推动因素。

过程

  • “难处理”材料（贵金属、ScAlN、PZT、LTO、LNO）
  • RIBE （反应离子束蚀刻）
  • <2% 3 西格玛 （200mm）
  • 数据存储、高级内存、量子应用
  • 具有宽范围倾斜角度的轮廓控制

我们的 IBD 系统，无论是为研发还是生产而配置，都能提供一流的均匀性和吞吐量以及最低的拥有成本。Marathon 网格技术是其验证性能的关键推动因素。Marathon 网格可以安装在现有系统上，以提高性能并获得两倍或更长的使用寿命。

过程

  • 光学薄膜、数据存储、磁传感器、高级存储器、量子应用
  • <2% 3-sigma （200mm） 和所有倾斜角度可用
  • RIPD（反应离子束沉积）
  • 化学计量和亚化学计量氧化物

硬件

  • 集群组合（最多 3 个模块）或单进程模块配置
  • 处理 200 毫米晶圆、150 毫米晶圆和 9.5 英寸托盘;可扩展至 300 毫米
  • 6 或 8 个目标配置，具有增强的目标间屏蔽
  • 与传统离子束系统相比，先进的运动控制可提供高达 40% 的通量
  • 长寿命 Marathon 格栅的使用寿命是标准格栅的三倍
  • 可编程虚拟快门
  • 宽范围倾斜角度
  • 使用辅助离子枪的 IBE

我们的 VERSALINE PECVD 是数十年技术创新的结晶。VERSALINE PECVD 系统可以沉积许多不同的高质量薄膜，确保您以较低的总拥有成本获得最高、可靠的高生产率。

过程

  • 硅烷基薄膜（a-Si、SiO2、SiNx、SiON、SiC、SiOF、a-SiC）
  • TEOS 薄膜
  • 压力控制
  • 高沉积速率和低沉积速率
  • 可调折射率

硬件

  • 13.56MHz 标准，带额外的可选低频
  • 高达 500C 的高温电极
  • 100 毫米至 200 毫米基板
  • 远程等离子清洗选项可缩短清洗周期

我们的 VERSALINE HDPCVD 平台可在低基底温度下提供致密薄膜。该系统采用高密度 ICP 等离子体，能够填充沟槽和孔洞。

过程

  • 硅烷基薄膜（a-Si、SiO2、SiNx、SiON、SiC、SiOF）
  • <180C 沉积条件
  • 沟槽/间隙填充
  • 高密度、低 BOE 薄膜
  • TEOS 和 DLC（类金刚石碳）

硬件

除了 VERSALINE ICP 提供的功能和优势外，VERSALINE HDPCVD 还提供：

  • 通过背面氦气和机械夹紧进行基板温度控制
  • 采用热管理反应器设计的低颗粒处理环境 — 电极、壁和喷淋喷头的温度高达 180C

VERSALINE 大面积 PECVD 平台为大批量生产提供包埋盒到包埋盒批处理解决方案。LAPECVD 每月提供数千次晶圆通过，以满足苛刻的生产能力。当与可选的原位沉积速率和薄膜厚度计量相结合时，批次间厚度得到提高。

过程

  • 压力控制
  • 高均匀性
  • 可调索引

与传统的光刻胶条系统不同，我们采用高密度自由基通量 （HDRF） 技术，该技术可产生高浓度的反应自由基，而不会产生带电粒子或不需要的光子。这种化学（非物理）、非损伤等离子体是传统和低温应用的理想选择。

当以集群配置放置在 VERSALINE 系统上时，HDRF 可在另一个等离子工艺之后提供等离子带或表面处理。

过程

  • 低温
  • 无设备损坏
  • 下游加工
  • 光刻胶剥离、表面改性、DSE 后聚合物去除、牺牲层去除

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