国内外量检测设备公司

科磊半导体（KLA，美国）

科磊半导体（KLA）作为全球半导体量检测设备的绝对领导者，其产品体系覆盖缺陷检测、量测设备、电子束系统、工艺控制软件及封装检测五大核心领域，并在各细分市场占据垄断地位。其主力设备包括：

1. 缺陷检测设备

l  Surfscan系列：无图形晶圆表面缺陷检测（颗粒/污染物/划痕），采用激光散射技术，适用于裸硅片及空白薄膜认证（如Surfscan SP系列）。

l  Puma系列：暗场图形晶圆缺陷检测，基于激光扫描技术，定位1X纳米级图形缺陷（如桥接、短路）。

l  29xx/39xx系列：明场光学缺陷检测（如2900/3900系列），支持5nm以下先进制程，通过宽光谱等离子成像识别图案化晶圆关键缺陷。

2. 量测设备

l   Archer系列：光刻套刻精度量测，采用成像（IBO）或衍射（DBO）技术，确保多层电路对准精度（如Archer 700支持7nm节点）。

l  SpectraShape系列：光学关键尺寸（OCD）测量，通过散射光谱分析三维结构参数（线宽/侧壁角度）。

l  Therma-Probe系列：掺杂浓度量测，利用热波技术测量离子注入剂量及均匀性（如630XP支持2Xnm节点）。

3. 专项设备

l  Teron系列：掩模版缺陷检测与修复系统（含EUV掩模），确保光刻模板准确性。

l  Gen 5系列：晶圆形貌与薄膜厚度量测，结合椭偏仪与干涉测量技术（如Filmetrics）。

应用材料（AMAT，美国）

应用材料（AMAT）在全球半导体量检测设备领域聚焦电子束技术主导的缺陷检测与计量，核心产品包括电子束扫描（E-beam）和光学检测系统两大方向。

1. 电子束缺陷检测与复查系统

l   SEMVision®系列：行业领先的电子束缺陷检测设备，具备高分辨率成像能力，可定位18纳米以下缺陷（如颗粒、桥接），搭配AI实时分类缺陷类型（如SEMVision G10）。

l   PROVision®系列：多电子束检测系统（如PROVision 3E），支持多束并行扫描，通过高密度电子束技术实现先进制程（5nm以下）缺陷高速捕获，效率较单束系统提升6倍。

2. 高精度计量系统

l   VeritySEM®系列：关键尺寸扫描电子显微镜（CD-SEM），支持6D/10D多参数测量，可对介电材料（玻璃/蓝宝石）及硅基半导体进行三维结构量测（如垂直晶体管高深宽比沟槽）。

l   Enlight®光学检测系统：明/暗场双通道检测（如Enlight® 2），结合同步扫描与AI（ExtractAI™技术），显著抑制晶圆噪声，实现0.001%极微小缺陷识别，灵敏度提升3倍。

3. 掩模检测解决方案

l   Aera®系列：第六代掩模检测系统（如Aera 6），采用193nm光刻级镜头与双CCD技术，支持EUV掩模检测，可识别2.5nm边缘缺陷，误报率行业最低。

日立高新（Hitachi，日本）

日立高新（Hitachi High-Tech）在全球半导体量检测设备领域以电子束技术为核心优势，核心设备包括：

l  CG6300（分辨率0.4nm）：台积电3nm产线主力机型，覆盖5nm以下FinFET结构量测；

l  CV5000高压电子束系统：专攻高深宽比结构（＞15:1）测量，在3D NAND领域垄断75%份额（三星/铠侠供应链）；

l  CR6300缺陷复查系统：电子束自动缺陷分析与分类占全球18%市场（缺陷分类精度99.3%）；

l  S-4800扫描电镜：0.2nm分辨率，适配Intel 18A GAA晶体管纳米片层叠测量。

l  在特色领域，其LS系列激光散射检测系统（无图形晶圆缺陷灵敏度0.08μm）主导硅片厂品控市场，而电子束畸变率＜0.01%（电磁/静电复合透镜设计）构筑了技术护城河。

阿斯麦（ASML，荷兰）

ASML在半导体量检测设备领域以电子束技术为核心优势，通过收购HMI补强技术链。核心产品包括：

l  HMI eScan系列：主力缺陷检测设备（分辨率0.1nm），其中eScan 1000（9电子束系统）为全球首款多电子束晶圆检测设备，吞吐量较单束提升600%，专攻3nm研发；

l  YieldStar光学量测系统：配套EUV光刻机的套刻精度量测设备，精度达0.1nm，在5nm以下节点覆盖率达80%，为EUV产线刚需工具。

创新科技（Onto Innovation，美国）

Onto Innovation（创新科技）在半导体量检测领域以三维形貌量测技术为核心优势，占据全球市场约7.1%的份额（2023年营收14.5亿美元）。公司主力产品包括：

1.  三维形貌量测设备（全球市占率65%，行业第一）

l  采用白光干涉技术（WLI），精度达0.1nm，专攻3D NAND堆栈（超200层）、先进封装凸点检测；

l  主力机型ATL系列为三星、SK海力士、长江存储等头部客户核心设备。

2.  光学关键尺寸量测设备（OCD）

l   实现5nm以下FinFET/GAA结构测量，精度较竞品高15%；

l   "MetalPad"系统穿透金属层测量为台积电3nm产线标配（占全球30%份额，次于科磊）；

3.  缺陷复查系统

l  OptiProber光学-电子束双模方案复检效率提升5倍；缺陷分类准确率99.8%，占全球12%市场（中芯国际14nm产线主力）。

雷泰光电（Lasertec，日本）

Lasertec（雷泰光电）的核心产品聚焦于半导体掩模版检测及第三代半导体量测领域：

1.  EUV光罩检测系统：

l  全球首创空白EUV掩模版缺陷检测系统（2017年），可识别3nm节点缺陷（分辨率≤20nm）；

l  ACTIS A150/A350系列实现有图形EUV掩模版全流程检测（占全球市场90%份额）；

2.  第三代半导体专用设备：

l  共焦激光扫描显微镜：针对SiC/GaN功率器件晶片表面缺陷检测（灵敏度0.1μm）；

l  PV/锂电池检测系统：支持晶圆级光伏电池微裂纹识别、锂电池电极三维形貌量测；

3.  传统光学掩模检测工具：

l  DUV/光学掩模检测设备覆盖130-5nm成熟制程，检测速度达每小时15片；

激光断层扫描系统：

l  应用于2.5D/3D先进封装TSV通孔深度及形貌分析（精度±50nm）。

新星测量仪器（Nova Measuring，以色列）

新星测量仪器（Nova Measuring Instruments） 专注于半导体量测设备领域，核心产品围绕光学散射计量（OCD）技术构建，覆盖前道制造关键测量需求：

1.  薄膜膜厚量测设备

l  Optical Digital Profiling (ODP™)系统：通过多光谱椭偏技术（250-1000nm波长），支持3D FinFET/GAA结构中的高深宽比沟槽薄膜测量（精度±0.1Å），适用于氮化硅、低k介质等超薄膜（＜20Å）；

l  材料性能测量模块：集成X射线荧光（XRF）技术，同步分析膜厚与成分浓度（如Cu/Co合金比例），应用于EUV金属反射层质量控制。

2.  关键尺寸量测设备

l  NOVA® OCD系列：基于衍射光学建模，通过纳米级光栅结构散射谱反演5nm以下制程的鳍片高度（Fin Height）、侧壁角度（Sidewall Angle）等三维参数，较传统CD-SEM速度提升20倍（每小时＞150晶圆）；

l  AI驱动算法库：结合机器学习实时校准光学模型误差（精度±0.3nm），解决堆叠式DRAM电容孔倾斜形貌监测难题。

3.  材料电性与应力测量

l  非接触电阻率分析仪：通过微波探针技术实现晶圆级载流子浓度分布成像，支持SiC外延片掺杂均匀性监控（分辨率0.5%）；

l  应力测量模块：利用拉曼光谱解析晶格畸变，精度达0.1GPa，用于3D NAND存储堆叠层应力管控。

康特科技（Camtek，以色列）

康特科技（Camtek） 专注半导体中后道光学检测设备，核心产品定位于先进封装、CIS及功率半导体高精度缺陷检测：

1.  2D/3D光学自动检测系统（AOI）

l   Eagle系列：

§  采用多光谱共聚焦显微技术，实现晶圆切割道裂缝（＜1μm）、凸点（Bump）形变（精度±0.15μm）、RDL层（再布线层）桥接等缺陷检测；

§  支持12英寸晶圆全检（每小时＞60片），兼容HBM内存堆叠层精度校准（Z轴精度20nm）。

l   Falcon系列：

§  整合暗场/明场双通道成像，捕获CIS图像传感器微尘污染、微透镜阵列破损等缺陷，漏检率＜0.1%；

§  AI算法自动分类缺陷（如微粒/划痕/电性失效），应用于索尼/三星CIS产线。

2.  高性能计算及先进封装检测方案

l  Panel Level Packaging（面板级封装）检测系统：

§  针对扇出型封装（Fan-Out）及2.5D硅中介层，实现TSV通孔完整性、铜柱（Cu Pillar）共面性（CPV＜3μm）无损检测；

§  Chiplet异构集成检测模块精准识别芯粒偏移（精度±0.5μm），确保AMD/英伟达HPC芯片良率。

l   HBM内存堆叠检测：

§  通过红外透视技术穿透DRAM层，检测层间微凸点（μBump）空洞（检出率＞99.9%），支持SK海力士HBM3量产。

3.  功率半导体专项检测设备

l   SiC/GaN晶圆缺陷扫描仪：

§  基于激光散射与热成像技术，定位碳化硅衬底微管缺陷（MPD）、GaN-on-Si材料层错，检测灵敏度达0.2μm；

§  集成自动复检系统，误报率较传统方案降低80%，适配Wolfspeed/英飞凌产线。

帕克公司（Park System，韩国）

帕克公司聚焦纳米级三维形貌量测与力学分析，核心技术为原子力显微镜（AFM）：

1.  高精度晶圆量测设备

l  NX Wafer系列：

§  基于非接触式AFM技术，实现0.1nm重复精度的三维形貌扫描（如FinFET鳍片高度、GAA纳米片堆叠厚度）；

§  Hybrid XY Stage技术分离水平/垂直运动，消除串扰误差，支持300mm晶圆全自动检测（每小时＞12片）；

§  应用于三星3nm工艺的侧壁粗糙度（<0.5nm RMS）及刻蚀深度（精度±0.3nm）监控。

l  3D-Metrology系列：

§  Z轴线性马达+激光干涉仪实时校准，测量高深宽比结构（如3D NAND层叠孔洞），深度检测极限达150:1，优于光学CD-SEM 5倍；

§  电学特性模块同步获取表面电势、电阻分布（C-AFM模式），定位芯片微短路/漏电路径。

2.  先进制程缺陷检测系统

l  PinPoint™纳米力学探针：

§  通过峰值力控制技术（PeakForce Tapping®）量化EUV光刻胶硬度/粘弹性（精度nN级），预测显影后坍塌风险；

§  无损检测柔性材料（如OLED封装层），避免电子束损伤。

l  IRIS系列缺陷复检机：

§  结合AFM+光学成像，对光学/电子束初检缺陷坐标进行亚10nm级三维复查，误判率降低90%。

斯库林公司（SCREEN，日本）

斯库林公司（SCREEN Semiconductor，日本）专注硅片级与图形晶圆高速光学检测，覆盖前道全流程：

1.  硅片缺陷检测设备

l   LS系列激光扫描系统（如LS-7900）：

§  深紫外（DUV）+紫外（UV）双光源扫描，检测无图形晶圆颗粒污染（灵敏度＞25nm）、COP晶体原生坑；

§  多角度散射光收集技术区分硅片雾状缺陷（Haze）与微划痕，误报率＜0.5%，全球硅片厂份额超65%。

l   热波掺杂分析仪：

§  通过双激光泵浦-探测测量聚焦离子束注入浓度（精度±3%），支持SiC外延层掺杂均匀性映射。

2.  图形晶圆缺陷检测系统

l   明/暗场并行检测设备（如SFP-7700）：

§  365nm波段高速宽场成像，识别14nm节点光刻后桥连/断线缺陷（检出率99.99%）；

§  集成AI噪声过滤算法（SCREEN DeepInsight®），吞吐量达120WPH（300mm晶圆）。

l   CMP后表面监测机：

§  白光干涉+共聚焦显微术量化抛光后碟陷（Dishing）深度（精度±0.5nm），减少层间短路风险。

中科飞测

中科飞测（SKYVERSE）的半导体量检测设备主要涵盖以下核心产品与技术方向：

1.  检测设备系列

l  无图形晶圆缺陷检测设备：应用于硅片、外延片等表面颗粒污染、划伤等缺陷检测，灵敏度达纳米级，覆盖2Xnm及以上工艺节点，并推进1Xnm研发（如SPRUCE系列）。

l  图形晶圆缺陷检测设备：针对电路图案的桥接、断线等缺陷，已实现28nm制程量产，客户包括长电科技、华天科技。

l  纳米图形晶圆缺陷检测设备：

§  明场/暗场系列：完成样机研发并出货至头部客户（如中芯国际、长江存储）验证，对标国际先进水平，灵敏度突破10nm级。

2.  量测设备系列

l  三维形貌量测设备：通过激光干涉技术实现晶圆表面形貌高精度测量（重复精度0.1nm），打破KLA垄断，应用于长江存储3D NAND产线（如SKYVERSE-900）。

l  薄膜膜厚量测设备：覆盖介质/金属薄膜厚度测量，支持28nm及以上制程，并通过士兰集科验证进入先进封装环节。

l  套刻精度量测设备：用于光刻层间对准误差测量，90nm工艺设备量产，28nm节点获订单。

l  光学关键尺寸（OCD）量测设备：在研项目，针对纳米级线宽、刻蚀深度的非接触测量。

3.  智能软件系统

l  良率管理系统（YMS）：整合检测数据实现工艺闭环控制，提升制造良率，应用于中芯国际等头部客户。

l  缺陷自动分类系统（ADC）：基于AI算法实现缺陷实时分类，复判效率提升80%。

精测电子

精测电子的半导体量检测设备主要包括以下核心产品：

1.  光学量测设备系列

l   膜厚量测系统：

§EFILM系列（如200UF/300IM/300SS）：采用椭圆偏振光谱技术（椭偏仪），覆盖金属/介质薄膜测量，精度达埃米级（0.1Å），应用于长江存储、中芯国际45nm-28nm制程，支持高k金属栅/低k介质膜监控。

§  EFILM 300FD：升级集成穆勒矩阵技术，突破多层膜堆叠（如3D NAND 64层）应力分析。

l   光学关键尺寸量测（OCD）设备：

§  EPROFILE 300FD：国内首台独立式OCD设备，宽谱全穆勒椭偏头自主研发，支持28nm平面CMOS工艺线宽量测（精度±0.15nm），延伸至14nm节点快速检测。

2.  电子束检测设备系列

l   缺陷复查设备：

§  eView™/eMetric系列：采用自研扫描电镜（SEM）技术，分辨率达纳米级（支持10nm及以下节点），搭载AI缺陷分类算法（基于深度神经网络），实现高深宽比结构/套刻（Overlay）误差测量。

§  eMetric CD-SEM：2022年交付首台，用于关键尺寸量测（如FinFET鳍片宽度），通过中芯国际验证。

l   明场缺陷检测设备：

§  BFI-100E：2022年12月首台交付，突破光学缺陷检测技术盲区，适配7nm制程订单（2023年完成验收），检测吞吐量提升30%。

3.  先进制程突破性设备

l   半导体硅片应力测量系统：获长江存储重复订单，满足晶圆翘曲/应力分布高精度监控。

l   暗场缺陷检测设备：有图形暗场检测设备处于研发验证阶段，专注14nm以下节点图形缺陷捕获。

上海睿励

上海睿励的半导体量检测设备主要聚焦于光学薄膜测量与光学缺陷检测两大领域，技术路线覆盖65纳米至5纳米工艺节点，核心产品如下：

1. 光学膜厚量测设备（拳头产品）

TFX3000系列：

§  应用于 65/55/40/28纳米芯片生产线（如长江存储、三星闪存产线），并推进 14l  纳米工艺验证；

§  支持 64层3D NAND芯片量产，正在验证 96层3D NAND芯片测量性能（层叠结构精度±0.1nm）；

§  核心技术：宽光谱椭偏技术，测量介质/金属薄膜厚度（范围10Å~40μm）、应力分布、折射率等参数。

l  TFX4000i系列（第三代设备）：

§  新增 反射测量模块和深紫外（DUV）测量模块，光谱范围扩展至深紫外波段；

§  覆盖更广泛工艺段，适用于 5纳米前后道工艺、10纳米级DRAM及 3D NAND制造生产线；

§  2021年出货30余台，客户包括国际领先存储芯片厂商（国内唯一进入三星存储芯片产线设备）。

2. 光学缺陷检测设备

l  WSD系列（如WSD200/WSD300）：

§  支持 2~12英寸图形/无图形晶圆的外观缺陷检测，识别颗粒污染、表面划伤、图形黏连等（精度100nm）；

§  WSD200于2021年4月首台出货，成为国内首款进入晶圆缺陷检测市场的高精度光学设备；

§  可定制兼容Frame检（晶圆框架检测）、背面缺陷检测及透明衬底检测（如SiC/GaN）。

FSD系列自动宏观缺陷检测系统（如FSD300）：

§  针对 大尺寸晶圆快速扫描，产能输出超国际同类产品（每小时检测>60片12英寸晶圆）。

东方晶源

东方晶源的半导体量检测设备聚焦电子束技术与先进制程国产化，核心产品涵盖以下方向：

1.  电子束缺陷检测设备（EBI）

l  SEpA-i505：国内首台电子束缺陷检测设备，提供纳米级缺陷检测和分析方案，通过头部晶圆厂（如中芯国际）产线验证，灵敏度达纳米级，支持28nm及以上制程。

l SEpA-i515：升级型号，吞吐量提升250%~400%，开机率超98%，支持3D NAND多层结构缺陷检测。

l  SEpA-i635：新一代产品，解决3D结构漏电/断路检测问题，抗干扰性能优化，实现28nm成熟制程及3D NAND国产替代。

2.  关键尺寸量测设备（CD-SEM）

l  国内首台12英寸CD-SEM：2021年交付中芯国际，满足28nm制程需求（90nm以上关键尺寸验收），分辨率达纳米级，开机率超90%。

l  SEpA-c410：新一代设备，通过高速传片方案和高精度算法，实现300mm硅片高产能、高分辨率量测（重复精度<0.1nm）。

l SEpA-c505：搭载全新电子光学系统（EOS）和高速传片平台，量测重复精度与分辨率对标国际主流机型，支持28nm全制程验证。

3.  电子束缺陷复检设备（DR-SEM）

l  SEpA-r655：分辨率达1.4nm，支持5通道探测器同步成像，可复检光学/EBI初步识别的缺陷，满足Fab主流机台性能要求。

l  Alpha工程机：通过28nm及以上制程验证，Beta机型已获订单。

赛腾股份

赛腾股份的半导体量检测设备主要通过收购日本Optima株式会社（持股74.10%） 布局，聚焦前道晶圆外观缺陷检测技术，核心产品涵盖以下方向：

1.  硅片/晶圆外观缺陷检测设备

l  边缘缺陷检测系统（如 RXW-1200/RXM-1200）：

§  精准识别硅片切割/倒角粗糙度（倒角粗糙度量测）、边缘崩边/缺口等缺陷，精度达0.1μm。

l 正背面复合检测设备（如 BMW-1200(R)）：

§  结合明场/暗场光学扫描技术，同步检测晶圆正面图形缺陷与背面污染划伤。

l   宏观外观检测设备（如 AXM-1200）：

§  高分辨率成像系统（支持8/12英寸晶圆），用于晶圆激光打标前字符检查、针孔/脏污缺陷筛查。

l  高精度探针检测设备：

§  支持封装环节引脚缺陷检查（弯曲/沾污），用于CP测试环节晶圆筛选（无锡昌鼎产品线）。

2.  晶圆制造辅助设备

l   晶圆激光打标机：实现晶圆身份信息高精度编码（支持OCR识别系统）。

l   晶圆激光开槽机：应用于HBM高带宽存储芯片TSV硅通孔前道开槽工艺。

l   倒角轮廓量测设备：控制倒角角度/粗糙度一致性（精度±1μm）。

天准科技

天准科技的半导体量检测设备主要通过 “自主研发+海外并购（德国MueTec）+生态投资（苏州矽行）” 布局，覆盖 缺陷检测、关键尺寸量测、套刻精度量测 等核心领域，具体产品如下：

1.  明场纳米图形晶圆缺陷检测设备系列（自研突破）

l   TB1000/TB1100（65-180nm工艺）：针对逻辑芯片、存储芯片制程，适配65-90nm节点缺陷检测（2023年首台交付）

l   TB1500（5-40nm工艺）：满足40nm先进制程验证，适配三维堆叠结构（HBM）缺陷筛查

l   TB2000（14-28nm工艺）：2023年通过厂内验证，国内首款支持14nm明场检测设备（分辨率<15nm）

2.  光学量测设备（MueTec技术平台）

l   套刻精度量测设备：德国MueTec核心产品，覆盖65nm及以上节点（客户：英飞凌/台积电）

l   关键尺寸量测设备（CD Metrology）：用于光刻后关键尺寸监控，支持掩膜版量测（国内稀缺）

l   薄膜膜厚量测设备：介质/金属膜厚测量（精度±0.1nm），适配晶圆制造、先进封装环节

l   掩膜版检测设备：高分辨率光学成像系统，填补国产掩膜版量测空白

3.  缺陷检测扩展组合

l   晶圆宏观缺陷检测设备：识别颗粒污染、划痕等缺陷（MueTec专利技术）

l   红外检测设备：针对MEMS传感器、化合物半导体（SiC/GaN）内部结构无损检测

l   电子束缺陷复检设备（联合开发中）：结合MueTec光学检测与苏州矽行电子束技术，攻关7nm复检方案

御微半导体

御微半导体（Yuwe Semiconductor）的半导体量检测设备以光学技术为核心，覆盖前道制造关键环节，主要产品包括以下三类：

1. 掩模版缺陷检测设备

l   i6R-300：国内首台全自动掩模缺陷检测设备（2022年量产），采用高精度明/暗场双检测系统，可同时检测掩模多个表面的细微缺陷（灵敏度达90nm），提供缺陷分类与全景检视功能，应用于国内先进制程生产线。

l   Raptor-500系列（2025年推出）：国内首台满足90nm以上制程的掩模检测设备，融合高分辨率透射+反射双光路同步成像技术，支持28nm制程验证。

2. 晶圆缺陷检测设备

l   i12-F200：首台半导体晶圆缺陷检测设备（2022年交付长鑫存储、中芯京城），支持12英寸晶圆图形化缺陷检测，灵敏度覆盖55-28nm工艺节点。

l   明/暗场检测系统：通过宽光谱照明与高分辨率光学成像，精准识别颗粒污染、图形桥接、线宽变形等缺陷。

3. 晶圆测量设备（套刻精度量测）

l   套刻精度量测设备：基于纳米级运动控制与超大规模图像计算技术，测量光刻工艺中的层间对准误差，应用于逻辑芯片（55nm验证中）、第三代半导体（SiC/GaN）等领域。

l   OCD（光学关键尺寸）量测设备：通过分析晶圆表面反射光谱，实时监控线宽、沟槽深度等关键尺寸参数。

埃芯半导体

埃芯半导体（Aixonix Semiconductor）的半导体量检测设备以光学与X射线技术双核心布局，覆盖晶圆制造与先进封装全流程，主要产品如下：

1.  光学量测系列

l 光学薄膜量测设备（如 AX-HY100/LT200）：测量逻辑芯片/存储芯片介质膜厚度（精度±0.1Å），支持10nm级DRAM及3D NAND工艺，进入长江存储、中芯国际供应链。

l   光学关键尺寸量测设备（AX-T100）：采用衍射光学技术（OCD），测量光刻后线宽/刻蚀深度，支持65-40nm制程验证。

l   光学套刻精度量测设备：解决多重曝光层间对准误差（精度<0.5nm），应用于逻辑芯片28nm产线。

2.  X射线量测系列

l   X射线薄膜量测设备（ÅX-TArray       系列）：全球首款多功能X射线荧光光谱（XRF）设备，用于HBM高带宽内存封装凸点成分测量（精度0.1nm），2022年出货长电科技/通富微电。

l   X射线材料性能量测设备（ÅX-M500）：测量TSV铜互连空洞率、SiC外延层应力，应用于CIS封装及第三代半导体产线。

l   X射线表面污染量测设备：检测晶圆金属离子残留（灵敏度ppb级），通过中芯绍兴8英寸线认证。

矽视科技

矽视科技（Siscantech）专注于电子束量检测技术，核心设备覆盖半导体前道工艺关键环节，主要产品如下：

1.  电子束关键尺寸量测设备（CD-SEM） 

l   自主研发电子光学镜筒，分辨率 <2nm，可精准测量光刻/刻蚀后线宽、接触孔直径等关键尺寸。

l   采用 “连续扫描技术”，检测速率较同类设备提升 10倍（200mm²/h）。

l   适用于 14nm及以下 先进制程（如逻辑芯片、存储芯片），支持光刻工艺站点实时监控。

2.  电子束缺陷检测设备（EBI）

l   集成 大束流高亮度电子枪 与 像差校正控制技术，可捕捉高深宽比结构底部缺陷（如形貌异常、材料缺陷）。

l   具备 “纳米级图像匹配精度” 和 “多通道荷电控制” 能力，解决表面/亚表面电性缺陷检测难题。

l   动态校正视场扩大4倍、连续扫描速率提升10倍，为国产首台突破7nm工艺验证的电子束缺陷检测设备。

3.  缺陷复查扫描电镜（DR-SEM）

l   基于光学或电子束检测坐标，对缺陷进行高精度复检分析，精准定位短路/断路缺陷在电路中的位置（如PMOS/NMOS/Gate区）。

中安半导体

中安半导体（ZhongAn Semiconductor）专注于晶圆几何参数与表面缺陷检测，核心设备覆盖前道制程关键环节，主要产品如下：

1.  晶圆几何形貌量测设备系列

l   WGT300-M：

§  国内首台12英寸晶圆全表面翘曲度检测设备，可同时测量翘曲度（Warp）、平整度（Flatness）、应力（Stress）、厚度变化（TTV）等参数，重复精度达 50nm。

§  采用 气浮卡盘结合菲索干涉仪 架构，突破晶圆抓取力与测量精度矛盾，参数匹配国际设备达 99.9%，获中芯国际、长江存储重复订单。

2.  晶圆颗粒缺陷检测设备系列

l   ZP6 / ZP Series：

§  10nm级无图形晶圆缺陷检测设备，采用 深紫外（DUV）激光散射技术，实现无接触式光学检测，灵敏度 ≤19nm，吞吐量 100片/小时。

§  突破国外垄断，填补国内高端量测设备空白，应用于化合物半导体（GaN/Si） 和先进封装产线。

3.  三维形貌与膜厚测量系统

l   整合 光谱共焦技术 与 白光干涉技术：

§  同步测量晶圆厚度、粗糙度、三维形貌、单/多层膜厚（碳化硅/蓝宝石等），支持Bonding Wafer多层厚度分析。

魅杰光电

魅杰光电（mZ Photonics）聚焦于半导体前道量检测领域，核心设备以高精度光学测量技术为核心，主要产品线如下：

1.  套刻精度量测设备（OVLScan系列）

l    OVLScan A系列首创 红外光学成像技术，突破传统可见光穿透限制，可精准测量键合工艺中 不可穿透衬底材料（如硅、蓝宝石）上的套刻偏差，精度达±1nm。

l   支持双面曝光、键合工艺及先进封装领域的对准误差量测，适配 碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN） 等第三代半导体材料。

l   红外分辨率≤0.5μm，集成 自适应聚焦算法 + SECS/GEM接口，支持自动化产线数据交互。

2.  全自动图形晶圆缺陷检测设备

l   基于自研精密光学成像 + 高性能聚焦技术： 精准识别 划痕、桥接、线宽变形 等纳米级缺陷，灵敏度 ≤20nm。

l   支持 晶面、晶背、晶边三向检测 及 自动缺陷分类（ADC） ，覆盖光刻显影后（ADI）、蚀刻后（AEI）等关键工艺节点。

光学关键尺寸量测设备（OCD）

l   采用 宽光谱光源（紫外-红外可调） ，实现薄膜厚度、关键尺寸（CD）的高精度测量。

l   支持 8"/12"晶圆兼容 ，应用于集成电路制造、化合物半导体（SiC/GaN）等领域。

南京中安

南京中安半导体设备有限责任公司（ZhongAn Semiconductor）专注于晶圆几何参数与缺陷检测领域，其核心设备覆盖前道制程关键环节，主要产品与技术突破如下：

1.  晶圆几何形貌量测设备（WGT300-M系列）

l   国内首台 12英寸晶圆全表面翘曲度检测设备，可同步测量翘曲度（Warp）、平整度（Flatness）、应力（Stress）、厚度均匀性（TTV/LTV）等参数，重复精度达50nm。

l   采用 气浮卡盘+菲索干涉仪协同架构，解决晶圆抓取力与测量精度矛盾，性能比肩KLA Surfscan系列。

l    应用于硅片制造、晶圆级封装（如3D IC）领域，覆盖国内前五大硅片厂商（2025年装机量>10台）。

2.  晶圆缺陷颗粒检测设备（ZP6系列）

l   采用 深紫外（DUV）激光散射技术，实现无接触光学检测，最高灵敏度 ≤19nm（适用于10nm制程），吞吐量 ≥100片/小时。

l   可识别杂质颗粒沾污、机械划伤、图案缺陷（如GaN on Si缺陷），填补国内高端缺陷检测空白。

l   为国内首个突破 10纳米级无图形晶圆检测 的设备（打破Applied Materials垄断），导入多家化合物半导体产线。

3.  三维形貌与薄膜量测系统

l   整合光谱共焦对射技术（厚度/翘曲Mapping）、 白光干涉技术（粗糙度/3D形貌）、 红外干涉技术（多层膜厚），支持碳化硅/蓝宝石等材料。

l   亚纳米级分辨率，实现Bonding晶圆的翘曲应力、多层膜厚同步分析（如Micro-bump共面性测量）。

青田恒韧

青田恒韧智能科技有限公司（QingTian HengRen）专注于电子束量测技术，核心设备聚焦半导体前道关键尺寸与缺陷精准检测，主要产品如下：

1.  关键尺寸扫描电子显微镜（CD-SEM，CD-Master系列）

l   分辨率 ≤8nm，支持 12英寸晶圆全自动化处理，可对光显层/刻蚀后的 关键结构（FinFET/GAA纳米片沟道、接触孔、金属线宽） 进行亚纳米级尺寸测量。

l   搭载电子束电流自适应补偿算法，解决荷电效应导致的图像失真问题，尺寸重复性精度 ±0.3nm（优于行业标准±5%）。

l   适配 28nm/14nm 至 3nm 先进制程，覆盖逻辑芯片（FinFET）和存储芯片（3D NAND）工艺节点，应用于芯国际、长鑫存储产线。

2.  电子束缺陷复检设备（DR-SEM，CDR-3000系列）

l   通过光学检测坐标联动机电定位系统，对纳米级缺陷（如颗粒污染、桥接、线变形、孔洞残留）进行复检成像，定位精度 ≤10nm。

l   多通道图像对比技术自动识别缺陷类型（物理/电性），误报率 <0.2%，较进口设备降低 50%。

镁伽科技

镁伽科技聚焦晶圆级光学检测与自动化量测，核心产品覆盖前道制程：

1.  全自动Overlay套刻精度量测设备

l   采用高精度光学成像+AI对齐算法，实现多层光刻图形对准偏差检测，精度 ±1.5nm，支持 28nm及以下制程，应用于中芯国际先进封装线。

2.  有图形晶圆外观缺陷检测设备

l   基于 多光谱成像技术，识别晶圆表面划伤、颗粒污染及图形桥接/断裂等缺陷，灵敏度 ≤0.1μm，适配逻辑芯片和存储芯片量产线。

聚时科技

聚时科技以AI驱动+光学创新 突破高端检测，产品覆盖前道及先进封装：

1.  聚芯系列缺陷检测设备

l   聚芯6300：前道晶圆暗场缺陷检测，采用 深紫外激光散射+深度学习算法，精准捕捉 0.5μm级微粒污染（如CIS晶圆Half Pixel缺陷）。

l  聚芯6500：先进封装六面检测设备，支持 2.5D/3D堆叠工艺的TSV硅通孔、Micro-Bump微凸块缺陷高速全检，吞吐量 150片/小时。

2.  先进封装量检测系统

l   聚芯6000/6000F：2D/3D晶圆级封装关键尺寸量测，通过 光学干涉+3D点云重建 实现Bumping凸点共面性 ±0.3μm 精度控制。

AI良率管理平台

l   聚芯5000：大模型驱动的良率分析系统，复判人力成本 降低70%，应用于长电科技HBM封装产线。